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Siデバイス・プロセス技術の開発史

~極限追及と実用化~

siデバイス編著:通研半導体技術史( Siデバイス・プロセス編)編集委員会

¥5400 単行本 送料無料 (3/27発売予定)

¥3240 PDF版

 

 

 

 

 

内容紹介

本書は、おおよそ1965年から2000年に至る約35年間のNTT研究所における
シリコン(Si)半導体のデバイス・プロセス技術の研究開発史をまとめたものである。

第1章ではSi半導体技術の開発経緯の概要、第2章ではバイポーラおよびMOS形Siデバイスの超高速化、
高集積化、低エネルギー化の研究実用化の主な歴史、第3章はデバイス製造の基盤となるリソグラフィなどの
11種類の主要なプロセス技術を選び、その開発の歴史、第4章はSiデバイス・プロセス技術に関する外部への
技術移転と外部機関から受けた表彰のまとめから構成した。
本書に記述された具体的な苦闘の歴史が、技術開発に奮闘しておられる研究者、技術者、研究管理者、
これから技術開発を担うことを目指しておられる学生の皆さんに、何らかのヒントやアイデアを得る上で
役に立つものと期待している。

書籍の情報
単行本 410ページ
発行 2017年3月27日
ISBN 978-4-908520-12-9
サイズ A4

 

 

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「Siデバイス・プロセス技術の開発史」

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